日期：2024-04-10 来源：武汉未来科技城
4月9日，2024九峰山论坛暨化合物半导体产业博览会在光谷开幕，这也是国内化合物半导体领域规模最大、规格最高的标杆性展会。
化合物半导体以高频、高功率、耐高压、耐高温等优越性能，成为支撑下一代移动通信、新能源汽车、能源互联网等产业的核心材料，正开辟出一条全新赛道。
抢抓半导体产业换道超车的新机遇，武汉打造了九峰山实验室等一批高水平创新平台，聚集了光迅科技，云岭光电等一批有影响力的领军企业，加速发展化合物半导体产业。
目前，武汉已形成了光电半导体、电力电子半导体、射频半导体三大特色细分领域，以光谷为主要承载区的化合物半导体产业，核心产业规模已突破300亿，带动相关产业超过了1000亿，在全国化合物半导体领域竞争力、显示度不断增加。
九峰山实验室已建立先进科研及中试平台
致力点亮化合物半导体产业“灯塔”
作为湖北省十大实验室之一，以建设世界领先的化合物半导体研发和创新中心为愿景，成立3年来，九峰山实验室已在中国光谷建立起先进的化合物半导体科研及中试平台。
九峰山实验室主任丁琪超介绍，九峰山实验室目前已搭建起完备的材料体系，以及包含7条工艺线的量产级研发流片平台，能力全面的先进检测分析平台。已具备以“异质集成”“先进键合”“化合物外延”“集成微波无源器件（IPD）PDK”“碳化硅（SiC）沟槽”“PZT压电MEMS”为代表的技术服务能力。
基于异质集成的未来技术规划方向，今年，实验室推出硅基II-V族化合物半导体材料异质集成技术、基于GaN的CMOS背面高效供电技术、晶圆级硅光微环纤维补偿技术、超高精度(<100nm )多材料晶圆键合工艺、晶圆级硅光MEMS技术等5个开放式基金课题，提供流片资源，检测资源，期待与更多合作伙伴一起实现相应技术的实现和突破，共同攀峰。
华工科技发布碳化硅检测系列新品
全国产晶圆切割设备打破国外垄断
当下以碳化硅为代表的第三代半导体的快速崛起，备受市场关注。本届九峰山论坛暨中国国际化合物半导体产业博览会上，华工科技发布碳化硅检测灵睛Aeye系列新品，包括国产碳化硅衬底外观缺陷检测智能装备、碳化硅晶圆关键尺寸测量智能装备。
“通过自主研发散光抑制图像增强技术、高速成像技术，并将传统算法与AI算法结合，我们的碳化硅衬底外观缺陷检测智能装备能够检测十余种常态/非常态缺陷，将缺陷成像清晰度较传统方式提升25%，并且运算能力也提升了45%，在提升成像质量的同时保证检测速度不降速，让缺陷更易识别。”华工激光精密系统事业群PCB微电子事业部总经理王莉介绍。
作为半导体封测工艺中不可或缺的关键工序，晶圆切割的质量与效率直接影响到芯片的质量和生产成本。过去，这一市场被海外厂商高度垄断，国内晶圆厂每年要花近20亿元购买切割设备。如今，华工科技半导体研发团队已成功研发出核心零部件全国产化的全自动晶圆激光表切设备和第三代半导体晶圆激光改质切割设备，不仅物料成本降低30%，供应链也更加安全。
目前，在光通信、传感领域，华工科技已布局两种化合物半导体技术，一是基于磷化铟材料的光芯片技术，通过华工科技参投的云岭光电，充分发挥IDM模式优势，攻克了25G及以上高端激光器芯片关键技术；二是基于硅材料的光子集成芯片，推出搭载自研硅光芯片的800G、1.6T光模块。同时，在新能源汽车大量应用的第三代化合物半导体领域，华工科技已开发面向前道和后道制程的六套装备。
长飞先进武汉基地项目明年完工
将成世界一流碳化硅器件制造工厂
庄丹介绍，长飞先进半导体专注于碳化硅功率半导体产品的研发生产，已具备从外延生长、器件设计、晶圆制造、模块封测的全流程生产能力，打造了完整的 650v-3300VSiC 产品矩阵，实现了从光伏、储能、充电桩到新能源汽车等应用领域的全覆盖。
在当前现有年产 6 万片碳化硅晶圆产能基础上，长飞先进半导体正稳步推进年产 36 万片碳化硅晶圆的武汉基地项目建设。
长飞先进武汉基地项目总投资 200 亿元，一期投资规模 80 亿元，已于 2023 年 9 月开工，并将于 2025 年建设完工，完工后将成为国内碳化硅产能前列，集产品设计、外延生长、晶圆制造、封装测试于一体，且全智能化的世界一流碳化硅器件制造标杆工厂。
除此之外，长飞先进半导体将在武汉基地建设国内前列、对标国际一流的化合物半导体创新中心，推动国内碳化硅产业快速发展。